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台积电:2018年量产7nm 2020年有望进入5nm量产

MoneyDJ 中字

OFwee自的工程网讯 在今年年初,三星、台积电、英特尔在10nm制程上良率的不佳的问题被接连曝光了,其中影响最大的莫过于三星了,因为高通计划在今年第二季度正式戳骁龙835处理器,良率的问题将会导致持续的供货不足;英特尔是最放松的,他们在2017年年初发布了采用14nm的kabyLake,10nm工艺依旧没有被引进到生产之中;台积电的10nm 工艺同样出现了良率低的问题,不过在台积电的最大客户苹果准备在9月发布新品,所以他们依然有时间来解决良率太低的问题。

台积电:2018年量产7nm 2020年有望进入5nm量产

如果10nm未能达到台积电欲其中的良率,那么产能不足的问题将会持续,对于其他客户来说,无法拿到最先进的10nm工艺,那么采用改良版的16nm也是一个非常不错的选择。台积电的16nm工艺最早在2015年开始量产,虽然外界很多消息表示台积电的16nm和三星的14nm只是20nm工艺的改良版本,不过在性能和功耗上要强于20nm很多。在传出台积电10nm工艺良率不加的时候,关于台积电将推出12nm救场的消息就开始了。

台积电:2018年量产7nm 2020年有望进入5nm量产

台积电这一次推出的10nm工艺,其实就是现有16nm工艺的微缩改良版,具有更低的漏电率和成本,并且在线宽方面超越了三星的14nm工艺。台积电将16nm改良版更名为12nm的目的是反击三星、格罗方德、中芯国际等竞争对手的工艺优势,牢牢掌控10-28nm的晶圆代工市场。

台积电:2018年量产7nm 2020年有望进入5nm量产

其实格罗方德在去年就退出了12nm FD-SOI工艺,与16nm FinFET工艺相比,12nm制程能够将功耗降低50%,性能提升15%,掩膜成本较10nm降低40%。不过由于三星方面已经明确表示,他们的10nm工艺主要是针对低功耗平台,所以格罗方德直接跳过了10nm,开始了7nm工艺的研发。

虽然台积电将16nm工艺使用了四代,不过工艺更成熟的他们可以在更短的时间内实现量产出货;而格罗方德则稍显尴尬,他们的12nm FD-SOI要量产还需要更多的时间,这也将会导致他们继续落后世界最先进的半导体制造。

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