国产内存即将到来 可业内却判DDR死刑

OFweek电子工程网 黄山明 中字

早在2017年,国内公司进军内存产业的消息便一直甚嚣尘上,其中的代表便是紫光公司,拥有国家政策与资金的扶持之下,终于做出了重要的突破。在今年上半年,凭借英飞凌、奇梦达的基础在DDR3内存上取得了突破,下半年更会推出主流的DDR4内存芯片。似乎中国已经要赶上国外主流水准,但是业内却传出DDR内存已经过时,新的内存即将取代,这无疑给国内的DDR内存制造厂商当头一棒。

DDR全球格局

DDR内存全称是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM,双倍速率同步动态随机存储器)。最早是由三星提出,由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格,并得到了AMD、VIA与SiS等主要芯片组厂商的支持。如今已经成为21世纪主流的内存规范。

目前世界上主要有3位DRAM领域的大佬,三星、SK海力士以及镁光,这三家占据了市场上95%的份额,国内的厂商也是希望能够打破这种局面,让自己的产品在世界上占有一席之地。

目前来说,市面上主流的内存依然是DDR4,并且DDR5已经蓄势待发,即将进入市场,但即使是这样,DDR内存带宽的提升速度依然跟不上时代的脚步,因此有业界人士提出DDR内存即将淘汰的看法。

HBM的崛起

取代者为带宽更高的HBM内存,2020年就会上市HBM 3内存,2024年则有望生产出HBM 4内存,届时带宽可达8TB/s,单插槽容量可达512GB。

对于DDR内存,可能大家都还有所了解,但是对于HBM内存,也只有那些热衷于DIY组装的玩家才会知晓。目前市面上只有HBM 2内存,核心容量可达8Gb,通过TSV技术可以实现每个CPU支持64GB HBM2内存,每路插槽的带宽可达2TB/s,而到了HBM 4时代,每个CPU支持的容量可达512GB,带宽超过8TB/s。

相比目前AMD的RPYC处理器,其支持8通道DDR4内存,最高容量能达到2TB,但是带宽只有150GB/s,与HBM内存相比还有所差距。

AMD在2015年发布的Fury系列显卡上,首次商用了第一代HBM技术,超高的带宽以及极低的占用面积彻底改变了当时的显卡设计,随后NVIDIA也在Tesla P100上采用了HBM 2 技术。

总体来说,相比于DDR内存,HBM内存的带宽优势更为明显,在一些需要高带宽的场合中,HBM无疑是更好的选择,比如HPC高性能计算机行业就非常需要HBM支持。

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